우리 대학 항공전자정보공학과 함고은 석사과정생(지도교수 김광은)이 지난 8월 제주대학교 아라컨벤션홀에서 열린 2025년 한국전기전자학회 하계학술대회에서 우수논문상을 수상했다.

  함고은 학생이 발표한 논문의 제목은 ‘Si 적층 접합 형성을 통한 AlGaN/GaN HEMT의 성능 향상’으로, 총 7명의 연구자-함고은, 신은결, 윤상원, 최영진, 양지훈, 임건우, 김광은-가 공동 참여해 연구를 완성했다. 이 논문은 기존 에피 방법으로는 성장이 어려운 Si와 GaN 소재를 스태킹(stacking) 공정으로 접합함으로써 소자의 성능을 효과적으로 향상시킨 연구 결과를 담고 있다.

  특히 연구팀은 이종 반도체 간 계면 특성을 정밀하게 제어해 캐리어 전달 효율을 높이고 누설 전류를 감소시키는 방향으로 소자 구조를 최적화했다. 이 과정에서 제안된 구조는 AlGaN/GaN HEMT의 전기적 특성을 개선하는 데 기여했으며, 이를 통해 차세대 고전력·고주파 반도체 소자 개발의 가능성을 제시했다는 점에서 높은 평가를 받았다.