신소재공학과 황완식(사진 제일 위) 교수 연구팀의 연구 결과가 미국화학회의  SCIE급 국제학술지인 <Crystal growth & design>  최신호 표지 논문(사진)으로 선정되는 영광을 안았다. 

연구팀의 서다희, 김선재 연구원(사진 위에서 두 번째, 세 번째)은 ‘Heteroepitaxial Growth of Single-Crystalline β-Ga2O3 on GaN/Al2O3 Using MOCVD’라는 논문을 통해 기존의 탄화규소와 질화갈륨에 비해 높은 에너지 밴드갭을 가지고 있어 전기자동차용 반도체로 활발히 연구되는 ‘산화갈륨 반도체’에 대한 연구를 발표했다. 

산화갈륨 반도체는 고온 및 고방사선 환경에서도 높은 신뢰성을 보여 항공우주 반도체로도 큰 기대를 모으고 있는 소재다. 연구팀은 특히 단일 소재로만 연구되던 산화갈륨과 질화갈륨의 이종접합을 형성해 고전압과 고온에서도 높은 신뢰성을 갖는 다이오드 기반 반도체 개발의 가능성을 제시해 높은 평가를 받았다. 

한편, 이 연구는 국방기술진흥연구소의 지원을 받아 한국세라믹기술원의 전대우·박지현 박사팀과 공동으로 수행됐다.