(신소재공학과 보 티 탄 흐엉 학생. 사진 오른쪽에서 첫 번째)

신소재공학과와 스마트항공모빌리티학과 석사과정에 재학 중인 보 티 탄 흐엉(Vo Thi Thanh Huong) 학생(지도교수 황완식)이 지난 10월 13일부터 17일까지 부산 한화리조트에서 열린 ‘제11차 아시아태평양 와이드갭 반도체 국제학회’에서 ‘우수 젊은 연구자상(Outstanding Young Researcher Award)’을 수상했다.

한국, 일본, 중국 등 아시아-태평양 국가를 순회하며 2년마다 열리는 아시아태평양 와이드갭 반도체 국제학회(APWSㆍAsia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors)에서는 와이드 밴드갭(WBGㆍWide Band Gap) 반도체 분야에서 뛰어난 연구 성과를 거둔 40세 미만의 연구자들을 선정해 우수 젊은 연구자상을 수여한다.

반도체 소자 내에서 전자가 지닐 수 있는 에너지 대역의 차이를 ‘밴드 갭(Band Gap)’이라고 하는데, 이 값이 클수록 기기는 더 높은 온도와 전압 환경에서도 전력을 적게 손실하며 작동한다. 밴드 갭이 큰 대표적인 반도체 소재로는 산화갈륨(Ga2O3), 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 등이 있다. 

보 학생은 ‘Investigation of the Characteristics of Alpha-Ga2O3 Photodetectors upon Soft X-ray Irradiation(저에너지 X선 조사에 따른 알파-산화갈륨 광검출기의 특성 연구)’라는 주제의 연구 결과를 발표해 이 상을 받았다. 

한국세라믹기술원(KICET), 스타트업 어썸레이와 함께 진행한 이 연구는 알파-산화갈륨(산화갈륨의 여러 종류 중에서 가장 넓은 밴드갭을 가진 소재) 기반의 반도체 박막이 차세대 X선 검출기에 반응하는 원리를 밝히고, 다양한 X선 영상 및 센싱 기술 분야에 활용될 가능성을 보여줬다. 특히 강한 에너지의 우주방사선에 노출되어도 손상될 확률이 낮다는 데 주목해 탐사선 등 항공우주 전자장치로의 응용을 제안하여 학술적으로 높은 평가를 받았다.

보 학생은 “이번 연구는 산화갈륨을 기반으로 하는 반도체가 항공우주 분야에서도 활용될 잠재력을 보여줬다는 점에서 의미가 크다”라며 “연구에 지원을 아끼지 않으신 황완식 지도교수님께 깊이 감사드린다”라는 소감을 남겼다.