(신소재공학과 보 티 탄 흐엉 학생. 사진 오른쪽에서 첫 번째)

신소재공학과와 스마트항공모빌리티학과 석사과정에 재학 중인 보 티 탄 흐엉(Vo Thi Thanh Huong) 학생(지도교수 황완식)이 지난 10월 13일부터 17일까지 부산 한화리조트에서 열린 ‘제11차 아시아태평양 와이드갭 반도체 국제학회’에서 ‘우수 젊은 연구자상(Outstanding Young Researcher Award)’을 수상했다.

한국, 일본, 중국 등 아시아-태평양 국가를 순회하며 2년마다 열리는 아시아태평양 와이드갭 반도체 국제학회(APWSㆍAsia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors)에서는 와이드 밴드갭(WBGㆍWide Band Gap) 반도체 분야에서 뛰어난 연구 성과를 거둔 40세 미만의 연구자들을 선정해 우수 젊은 연구자상을 수여한다.

반도체 소자 내에서 전자가 지닐 수 있는 에너지 대역의 차이를 ‘밴드 갭(Band Gap)’이라고 하는데, 이 값이 클수록 기기는 더 높은 온도와 전압 환경에서도 전력을 적게 손실하며 작동한다. 밴드 갭이 큰 대표적인 반도체 소재로는 산화갈륨(Ga2O3), 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 등이 있다. 

흐엉 학생은 ‘Investigation of the Characteristics of Alpha-Ga2O3 Photodetectors upon Soft X-ray Irradiation(저에너지 X선 조사에 따른 알파-산화갈륨 광검출기의 특성 연구)’라는 주제의 연구 결과를 발표해 이 상을 받았다. 

한국세라믹기술원(KICET), 스타트업 어썸레이와 함께 진행한 이 연구는 알파-산화갈륨(산화갈륨의 여러 종류 중에서 가장 넓은 밴드갭을 가진 소재) 기반의 반도체 박막이 차세대 X선 검출기에 반응하는 원리를 밝히고, 다양한 X선 영상 및 센싱 기술 분야에 활용될 가능성을 보여줬다. 특히 강한 에너지의 우주방사선에 노출되어도 손상될 확률이 낮다는 데 주목해 탐사선 등 항공우주 전자장치로의 응용을 제안하여 학술적으로 높은 평가를 받았다.

흐엉 학생은 “이번 연구는 산화갈륨을 기반으로 하는 반도체가 항공우주 분야에서도 활용될 잠재력을 보여줬다는 점에서 의미가 크다”라며 “연구에 지원을 아끼지 않으신 황완식 지도교수님께 깊이 감사드린다”라는 소감을 남겼다.