신소재공학과 황완식 교수 연구실 소속의 이지수 학부 연구생과 류희중 박사과정생이 지난 6월 18일 부산 벡스코에서 열린 2025 한국전기전자재료학회 하계학술대회에서 각각 금상과 최우수상을 수상했다. 

  이지수 학생은 캡스톤디자인 경진대회에서 ‘극한 환경에서의 열 안정성을 갖는 β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode(SBD)를 이용한 X-ray 검출기’를 주제로 발표해 금상을 받았다. β-Ga₂O₃(베타 산화갈륨)은 기존 실리콘 반도체보다 밴드갭(전자가 채워진 띠와 비어 있는 띠 사이의 에너지 차이)이 넓은 물질로, 고온·고전압에서도 안정적인 반도체 성능을 유지하며 강한 방사선 저항성을 보인다. 이러한 특성 덕분에, 이지수 학생이 개발한 산화갈륨 기반 X-ray 검출기도 항공우주 분야나 원자력 분야처럼 극한 환경에서 활용할 수 있는 차세대 소자 기술로 주목받았다. 

  류희중 박사과정생은 ‘산화갈륨의 수열합성을 통한 Ge 도핑 및 광촉매 특성 개선’을 주제로 발표해 최우수상을 수상했다. 이 연구는 고온·고압의 물속에서 물질을 합성하는 수열합성법을 통해 산화갈륨(Ga₂O₃)에 저마늄(Ge)을 도핑(특정 물질을 넣어 전기적 성질을 변화시키는 기술)해 유기 오염물 분해 등 환경 정화에 활용되는 ‘광촉매’ 성능을 향상시킨 것으로, 산화갈륨의 도핑을 통한 물성 제어 가능성을 확인하고 차세대 광촉매 및 전력소자 개발에 응용할 수 있는 확장성을 보여줬다는 점에서 좋은 평가를 받았다. 

  두 학생은 “좋은 연구를 할 수 있도록 이끌어 주신 황완식 교수님과 연구실 선배님들께 감사드린다”고 수상 소감을 전했다. 

  이번 수상은 우리 대학 신소재공학과의 교육 및 연구 역량을 대외적으로 입증한 사례로, 앞으로 전기전자재료 분야에서 학생들의 더 다양한 연구와 성과가 이어질 것으로 보인다.